一、申請(qǐng)條件

1.遵守中華人民共和國(guó)法律法規(guī)，具有良好的科學(xué)道德，自覺(jué)踐行新時(shí)代科學(xué)家精神；

2.出生日期在1985年1月1日（含）以后；

3.具有博士學(xué)位；

4.研究方向主要為自然科學(xué)、工程技術(shù)等；

5.在取得博士學(xué)位后至2025年9月15日前，一般應(yīng)在海外知名高校、科研機(jī)構(gòu)、企業(yè)研發(fā)機(jī)構(gòu)獲得正式教學(xué)或者科研職位，且具有連續(xù)36個(gè)月以上工作經(jīng)歷；在海外取得博士學(xué)位且業(yè)績(jī)特別突出的，可適當(dāng)放寬工作年限要求，在海外工作期間，同時(shí)擁有境內(nèi)帶薪酬職位的申請(qǐng)人，其境內(nèi)帶薪酬職位的工作年限不計(jì)入海外工作年限；

6.取得同行專(zhuān)家認(rèn)可的科研或技術(shù)等成果，且具有成為該領(lǐng)域?qū)W術(shù)帶頭人或杰出人才的發(fā)展?jié)摿Γ?/p>

7.申請(qǐng)人尚未全職回國(guó)（來(lái)華）工作，或者2024年1月1日以后回國(guó)（來(lái)華）工作。獲資助通知后須辭去海外工作并全職回國(guó)（來(lái)華）工作不少于3年。

詳細(xì)申報(bào)條件請(qǐng)參見(jiàn)網(wǎng)址：

*國(guó)家自然科學(xué)基金優(yōu)秀青年科學(xué)基金項(xiàng)目（海外）項(xiàng)目指南（新增批次）

二、待遇保障

研究所誠(chéng)邀半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域，包括凝聚態(tài)物理、半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體器件物理、半導(dǎo)體材料與器件、半導(dǎo)體光電子學(xué)、微電子學(xué)與固體電子學(xué)、物理電子學(xué)、集成電路科學(xué)與工程、光學(xué)工程、電路與系統(tǒng)、電子信息、材料與化工等學(xué)科方向的優(yōu)秀青年人才加入，并給予國(guó)家自然科學(xué)基金優(yōu)秀青年科學(xué)基金項(xiàng)目（海外）入選者如下崗位待遇：

1.聘任為研究員（正高級(jí)編制崗位)、博士生導(dǎo)師�？杉尤虢ㄖ苹瘒�(guó)家級(jí)研究團(tuán)隊(duì)，或獨(dú)立設(shè)立課題組、研究所協(xié)助建立研究團(tuán)隊(duì)。

2.900萬(wàn)元以上的科研經(jīng)費(fèi)（含項(xiàng)目評(píng)估優(yōu)秀追加200萬(wàn)元）。

3.提供具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的薪酬待遇。

4.除國(guó)家和中國(guó)科學(xué)院100萬(wàn)元生活補(bǔ)貼外，研究所提供租房補(bǔ)貼、特殊人才津貼、住房補(bǔ)貼等各項(xiàng)津補(bǔ)貼以及全方位的福利保障。

5.其他支持：提供科研所需的辦公和實(shí)驗(yàn)用房；享受人才長(zhǎng)租房，提供直至退休的人才長(zhǎng)租房政策；按照相關(guān)政策解決本人及配偶、子女在京落戶(hù)，及子女入托入學(xué)等。

三、研究所介紹

1956年，在新中國(guó)首個(gè)中長(zhǎng)期科學(xué)技術(shù)發(fā)展的綱領(lǐng)性文件——《1956-1967年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃》中，半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)被確立為國(guó)家新技術(shù)發(fā)展的四大緊急措施之一。為奠定中國(guó)半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)研究的基石、構(gòu)建系統(tǒng)化的研發(fā)體系，我國(guó)于1960年9月在北京成立中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所(Institute of Semiconductors, CAS)，開(kāi)啟了中國(guó)半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展之路。

建所65年來(lái)，半導(dǎo)體研究所在我國(guó)半導(dǎo)體科技發(fā)展的各個(gè)歷史階段均做出了重大貢獻(xiàn)，取得了令人矚目的成就：中國(guó)第一根鍺單晶、硅單晶、砷化鎵單晶，第一只鍺晶體管、硅平面晶體管，第一塊集成電路，第一臺(tái)硅單晶爐、區(qū)熔爐等，均誕生于半導(dǎo)體研究所。研究所共獲得國(guó)家級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)近40項(xiàng)，黃昆院士榮獲2001年度國(guó)家最高科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)。

半導(dǎo)體研究所作為集半導(dǎo)體物理、材料、器件研究及系統(tǒng)應(yīng)用為一體的國(guó)家級(jí)綜合性研究機(jī)構(gòu)，擁有兩個(gè)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室——光電子材料與器件全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、半導(dǎo)體芯片物理與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；兩個(gè)國(guó)家級(jí)研究中心—國(guó)家光電子工藝中心、光電子器件國(guó)家工程研究中心；一個(gè)院級(jí)實(shí)驗(yàn)室——中國(guó)科學(xué)院固態(tài)光電信息技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；還設(shè)有納米光電子實(shí)驗(yàn)室、人工智能與高速電路實(shí)驗(yàn)室、光電系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室、全固態(tài)光源實(shí)驗(yàn)室、寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)中心、光電子工程中心、半導(dǎo)體集成技術(shù)工程研究中心和元器件檢測(cè)中心。現(xiàn)有職工700余人，其中包括中國(guó)科學(xué)院院士8名，中國(guó)工程院院士1名，高層次引進(jìn)人才計(jì)劃入選者53人，國(guó)家級(jí)領(lǐng)軍人才計(jì)劃入選者28人，國(guó)家級(jí)青年人才計(jì)劃入選者19人。研究所設(shè)有3個(gè)博士后流動(dòng)站，擁有8個(gè)學(xué)術(shù)型學(xué)科專(zhuān)業(yè)博士和碩士培養(yǎng)點(diǎn)，以及2個(gè)專(zhuān)業(yè)學(xué)位領(lǐng)域培養(yǎng)點(diǎn)。作為中國(guó)科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電技術(shù)學(xué)院的主辦單位，研究所主辦的“材料科學(xué)與工程”學(xué)科入選國(guó)家一流學(xué)科。

研究所科研條件支撐平臺(tái)

研究所構(gòu)建了覆蓋半導(dǎo)體研發(fā)制造全鏈條的國(guó)際一流設(shè)施和技術(shù)體系，涵蓋材料仿真、分子束外延生長(zhǎng)、納米光刻、等離子刻蝕、先進(jìn)封裝及晶圓級(jí)測(cè)試等全流程能力，包括：從原子級(jí)到系統(tǒng)級(jí)半導(dǎo)體材料與器件仿真，從分子束外延到納米級(jí)電子束光刻系統(tǒng)，從等離子體刻蝕系統(tǒng)到晶圓級(jí)先進(jìn)封裝，以及完備的材料表征實(shí)驗(yàn)室和晶圓級(jí)測(cè)試平臺(tái)。研究所現(xiàn)有百級(jí)/千級(jí)超凈實(shí)驗(yàn)室總面積逾6000平方米，大型半導(dǎo)體設(shè)備種類(lèi)齊全，可制備III-V族化合物、寬禁帶以及硅基等多種先進(jìn)半導(dǎo)體材料與器件，工作波長(zhǎng)覆蓋紫外、可見(jiàn)光、紅外、太赫茲至微波波段，形成了“機(jī)理-設(shè)計(jì)-制造-封裝-測(cè)試”五位一體的完整研發(fā)閉環(huán)，可為微電子和光電子系統(tǒng)提供從原型開(kāi)發(fā)到小批量試制的全周期支撐。

光電子材料與器件全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

使命定位：面向光電子材料與器件前沿領(lǐng)域，聚焦異質(zhì)異構(gòu)集成、多維光電調(diào)控與多功能一體化等關(guān)鍵技術(shù)，開(kāi)展前瞻性與原創(chuàng)性研究，構(gòu)建“產(chǎn)-學(xué)-研”融合科技攻關(guān)聯(lián)合體，滿(mǎn)足國(guó)家光通信領(lǐng)域?qū)Ω叨斯怆娮硬牧吓c器件的重大需求。

特色成果：長(zhǎng)期深耕光電子材料與器件前沿，構(gòu)建了貫穿半導(dǎo)體光電子“機(jī)理-材料-芯片-器件-應(yīng)用”全鏈條研發(fā)體系。材料體系涵蓋InP、GaAs、GaSb、硅基、鐵電等Ⅲ-Ⅴ族化合物及新型半導(dǎo)體材料。在半導(dǎo)體激光器、調(diào)制器、探測(cè)器及光子集成等核心光電子材料與器件領(lǐng)域長(zhǎng)期處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平。目前已經(jīng)形成從材料外延、器件制備、芯片集成、封裝測(cè)試到系統(tǒng)應(yīng)用的自主可控技術(shù)體系，是我國(guó)光電子材料與器件領(lǐng)域的核心研究單元。

四、聯(lián)系人及聯(lián)系方式：

聯(lián)系人：李明

聯(lián)系郵箱：ml@semi.ac.cn

電話(huà)：010-82304347

五、半導(dǎo)體芯片物理與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

使命定位：在極限尺度半導(dǎo)體器件的物理源頭進(jìn)行理論創(chuàng)新，突破后摩爾時(shí)代半導(dǎo)體芯片的物理與技術(shù)瓶頸，構(gòu)建突破極限尺度半導(dǎo)體器件關(guān)鍵物理瓶頸的原創(chuàng)理論與技術(shù)方案，聯(lián)合企業(yè)開(kāi)展關(guān)鍵技術(shù)示范驗(yàn)證，為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供源頭和底層創(chuàng)新支撐。

特色成果：半導(dǎo)體物理領(lǐng)域唯一全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，在能帶理論、低維半導(dǎo)體、自旋器件等方面形成優(yōu)勢(shì)特色并做出重大歷史貢獻(xiàn)，獲國(guó)家最高科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)1項(xiàng)、國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)5項(xiàng)，正在建設(shè)國(guó)際半導(dǎo)體物理人才高地，年均經(jīng)費(fèi)1.2億元。

聯(lián)系人：駱軍委

聯(lián)系郵箱：jwluo@semi.ac.cn

電話(huà)：010-82304019

中國(guó)科學(xué)院固態(tài)光電信息技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

使命定位：實(shí)驗(yàn)室面向半導(dǎo)體光電領(lǐng)域需求，開(kāi)展基礎(chǔ)理論、新材料與高端芯片研究，突破單晶、外延、激光器、功率器件、集成電路等核心技術(shù)，構(gòu)建自主創(chuàng)新體系，培養(yǎng)領(lǐng)軍人才，推動(dòng)研用協(xié)同與學(xué)科融合，為技術(shù)進(jìn)步與產(chǎn)業(yè)升級(jí)提供科技支撐。

特色成果：本實(shí)驗(yàn)室是國(guó)內(nèi)唯一覆蓋GaN、GaAs、InP、InAs、GaSb、SiC和金剛石多材料體系，實(shí)現(xiàn)紫外至長(zhǎng)波紅外激光器的研究平臺(tái)。國(guó)內(nèi)率先開(kāi)展光子晶體、量子級(jí)聯(lián)及氮化物激光器研究，保持國(guó)際先進(jìn)水平。獲國(guó)家級(jí)、省部級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)10余項(xiàng)，彰顯了在半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域的領(lǐng)先地位與貢獻(xiàn)。

聯(lián)系人：齊愛(ài)誼

郵箱：qiaiyi@semi.ac.cn

電話(huà)：010-82304482

六、申請(qǐng)程序

1.歡迎來(lái)電來(lái)信咨詢(xún)，并將簡(jiǎn)歷及代表性成果于2025年9月1日前發(fā)送至半導(dǎo)體研究所人事教育處hr@semi.ac.cn 。

2.通過(guò)與半導(dǎo)體研究所簽訂工作意向協(xié)議書(shū)，依托半導(dǎo)體研究所申報(bào)國(guó)家自然科學(xué)基金優(yōu)秀青年科學(xué)基金項(xiàng)目。

七、聯(lián)系方式

地址：北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào)（郵編：100083）中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所人事教育處

聯(lián)系人：吳老師、徐老師

郵箱：hr@semi.ac.cn

電話(huà)：86-10-82304192，86-10-82304307

信息來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)，如有變更請(qǐng)以原發(fā)布者為準(zhǔn)。

來(lái)源鏈接：

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