招聘崗位（一）：III-V族化合物半導體材料生長或光通信光電子器件測試表征博士后（兩名）
崗位要求：
（1）理學或工學博士畢業(yè)；
（2）具有半導體材料（物理）、半導體光電子器件、導波光學或通信專業(yè)背景；
（3）對研究有熱情，了解相關領域國內(nèi)外最新進展，動手能力強，有較強的英語閱讀和寫作能力，在前期學習/工作過程中做出同行認可的成績；
（4）具有較強的團隊合作意識、責任心和獨立開展科研工作的能力，有意從事III-V化合物半導體異質(zhì)襯底材料外延或者半導體光電子器件測試表征工作；
（5)具有化合物半導體MOCVD材料生長、光電子器件研制和表征或者光纖通信用光電子器件表征經(jīng)驗者優(yōu)先考慮。
招聘崗位（二）：III-V化合物半導體器件工藝人員（兩名）
崗位職責：負責III-V族化合物半導體器件部分工藝以及相關測量表征。
崗位要求：
(1)大專及以上學歷；
(2)微電子、材料和物理專業(yè)畢業(yè)或者工作背景；
(3)動手能力強，善于學習，吃苦耐勞，有團隊合作精神；
(4)有半年以上半導體超凈間工作經(jīng)驗者優(yōu)先考慮。
崗位待遇：按中科院蘇州納米所項目聘用相關規(guī)定執(zhí)行。
應聘方式：
（1）報名截止時間:招滿為止；
（2）應聘者將簡歷及畢業(yè)證書掃描件通過郵件，以“應聘崗位＋姓名”為主題發(fā)送至以下郵箱；
（3）我們將以郵件或電話的方式通知通過初選的應聘者，前來參加本單位組織的筆試或面試。
聯(lián)系人：張瑞英電話：0512-62872560E-mail：ryzhang2008@sinano.ac.cn
崗位待遇：目前研究所博士后月收入稅前約7500元，外加課題績效和年終獎金。
業(yè)績突出者，博士后出站后可優(yōu)先留所工作。
崗位要求：
（1）理學或工學博士畢業(yè)；
（2）具有半導體材料（物理）、半導體光電子器件、導波光學或通信專業(yè)背景；
（3）對研究有熱情，了解相關領域國內(nèi)外最新進展，動手能力強，有較強的英語閱讀和寫作能力，在前期學習/工作過程中做出同行認可的成績；
（4）具有較強的團隊合作意識、責任心和獨立開展科研工作的能力，有意從事III-V化合物半導體異質(zhì)襯底材料外延或者半導體光電子器件測試表征工作；
（5)具有化合物半導體MOCVD材料生長、光電子器件研制和表征或者光纖通信用光電子器件表征經(jīng)驗者優(yōu)先考慮。
招聘崗位（二）：III-V化合物半導體器件工藝人員（兩名）
崗位職責：負責III-V族化合物半導體器件部分工藝以及相關測量表征。
崗位要求：
(1)大專及以上學歷；
(2)微電子、材料和物理專業(yè)畢業(yè)或者工作背景；
(3)動手能力強，善于學習，吃苦耐勞，有團隊合作精神；
(4)有半年以上半導體超凈間工作經(jīng)驗者優(yōu)先考慮。
崗位待遇：按中科院蘇州納米所項目聘用相關規(guī)定執(zhí)行。
應聘方式：
（1）報名截止時間:招滿為止；
（2）應聘者將簡歷及畢業(yè)證書掃描件通過郵件，以“應聘崗位＋姓名”為主題發(fā)送至以下郵箱；
（3）我們將以郵件或電話的方式通知通過初選的應聘者，前來參加本單位組織的筆試或面試。
聯(lián)系人：張瑞英電話：0512-62872560E-mail：ryzhang2008@sinano.ac.cn
崗位待遇：目前研究所博士后月收入稅前約7500元，外加課題績效和年終獎金。
業(yè)績突出者，博士后出站后可優(yōu)先留所工作。
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng)）
中國-博士人才網(wǎng)發(fā)布
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