本報北京12月5日電 （記者吳月輝）日前，中國科學院電工研究所王秋良團隊成功研制出中心磁場高達32.35特斯拉（T）的全超導磁體。該磁體采用了自主研發(fā)的高溫內(nèi)插磁體技術(shù)，打破了2017年12月由美國國家強磁場實驗室創(chuàng)造的32.0特斯拉超導磁體的世界紀錄，標志著我國高場內(nèi)插磁體技術(shù)已經(jīng)達到世界領(lǐng)先水平。
此前低溫超導磁體產(chǎn)生的磁場強度上限為23.0特斯拉左右。此次，王秋良團隊設計并建造了全新的超導線圈和支撐結(jié)構(gòu)，提高了線圈的整體工程電流密度和局部安全裕度，并采用軸向彈性支撐結(jié)構(gòu)和綁扎裝置，提高了超導接頭抵抗局部拉應力集中的能力，使極高場內(nèi)插磁體的電磁安全裕度和應力安全裕度都得以大幅提高。經(jīng)測試，此次建造的極高磁場超導磁體在液氦浸泡條件下產(chǎn)生了32.35特斯拉的中心磁場，并且實現(xiàn)了在32.35特斯拉全超導磁體的穩(wěn)定運行，其關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)均已滿足綜合極端條件實驗裝置國家重大科技基礎實施項目對極端強磁場的技術(shù)要求。
據(jù)悉，此項研究成果將服務于世界一流水平的綜合極端條件實驗裝置用戶，為我國物質(zhì)科學探索新物態(tài)、新現(xiàn)象、新規(guī)律等基礎研究和應用研究提供最先進的強磁場實驗條件。
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